HAD-GC3000 安徽断路器测试仪_其他专用仪器仪表

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HAD-GC3000 安徽断路器测试仪

1.断路器测试仪断路器检测仪型号：HAD-GC3000

主要特点

　　本公司生产的HAD-GC2000断路器动特性测试仪在市场推广应用多年，广受好评！现推出的HAD-GC3000断路器动特性测试仪。仪器新增相关标速度定义，可调整比例系数，角传感器测速直接输出数据；波形显示、分析、计算、打印；数据存储；PC机数据管理，标准试验报告上传输出。

　　12路时间通道：适合各型开关合（分）时间、弹跳、同期、自动重合时间类项目的测试，500KV抗干扰设计。 断路器测试仪断路器检测仪型号：HAD-GC3000

　　1路传感器通道：配置分辩率0.1mm、1mm、1°角光电传感器及向安装支架，实现位移、速度数据、波形参量的测试。

　　内置直流操作电源：可测试电流特性曲线及低电压动作试验。具备多种同步触发方式，便于行内、外电源主控，外同步触发采样。

　　大屏幕液晶显示：可行丰富的速度定义设置、可实现非直接动杆测速（如角度），具备位移、速度、电流波形显示分析、可自定义两点光标计算速度、数据显示、存储、PC机数据管理软件，RS232通讯上传等能。

　　速热敏打印机：可打印数据表及意当前屏幕的波形曲线（可含当前光标线、参数值），装纸便捷、维护方便、打印安静。

主要测试项目及能 断路器测试仪断路器检测仪型号：HAD-GC3000

• 12个断口的固有分、合闸时间

• 重合闸时间

• 分、合闸zui大不同期性

• 刚分、刚合速度

• 弹跳时间及幅度

• 开关开距及关超行程（真空开关预置开关行程）

• 分、合闸平均速度

• 显示、打印速度——距离曲线

主要术标 断路器测试仪断路器检测仪型号：HAD-GC3000

• 时间测量
同时测量断口数：≤12个
测定过程整定时间：0～6秒
分辩率：0.1ms

• 开关开距、开关超行程、弹跳幅度测量
量程：<500mm
分辩率：1mm

• 测量误差
时间测量误差：±1%
行程测量误差：±1%

• 作条件
作电压：AC200V±10%
频率：50Hz
耗：≤60W
使用环境温度：-10℃～40℃
使用环境湿度：≤90%RH
体积：400×350×200mm
重量：7kg

2.红宝石探针头系列红宝石探测器红宝石探针头红宝石探测仪（A）型号：KDK-KDT

、特点
1、使用几何尺寸十分的红宝石轴套，确保探针间距的恒定、。
2、控制宝石内孔与探针之间的缝隙不大于6μｍ，探针的小游移率。
3、采用特制的S型悬臂式弹簧，使每根探针都具有、的压力。
4、量具度的硬质合金探针，在宝石导孔内稳定运动，持久耐磨。
二、用途
1、测量硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率，测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻。
2、测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻。
三、探针间距
1、直线四探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
2、方形四探针…………… 1.00mm
3、直线三探针…………… 1.00mm、1.27mm、1.59mm
4、两探针 …………… 1.00mm、1.59mm、4.76mm、10.00mm
四、术标
1、游移率

B…………… ＜0.5%
A……………＜0.3%

                   AA………… ＜0.2%
                   AAA…………＜0.1%
2、间距偏差

                   B…………… ＜3%
                   A…………… ＜2%
                   AA…………  ＜2%
                   AAA………… ＜1%
3、 zui大针与导孔间隙：0.006mm
4、探针材料：硬质合金（主成份：口碳化钨）或速钢
5、探针压力      标准压力：6—10N（4根针总压力）
                        小压力：1.2—5N（4根针总压力）
                        1牛顿（N）=101.97克
6、针尖压痕直径：25—100μｍ、100—250μｍ（簿层）
7、 500V缘电阻：＞1000MΩ

3.导电型号测试仪导电型号检测仪型号：KDK-STY-3

KDK-STY—3型导电型号测试仪是严格按照标GB/T1550-1997和ASTM F42（非本征半导体村料导电类型的标准测试方法）中的热探针及整流导电类型测试方法设计的导电类型鉴别仪。

本仪器热探笔内装有加热和控温组件，自动加热并使温度维持在50?60℃范围内，冷热探笔在半导体材料上产生的热电动势及整流法产生的电势差经低噪声、低漂移的集成运算放大器放大后，用液晶显示器件（LCD）及检流计示型号方向。仪器灵敏度分、低两档，可判别大分非本征半导体材料型号（从阻单晶到重掺单晶）。

二、术性能

1、可判别锗、硅著料的电阻率范围：

锗：非本征锗10³～10^?4Ω·cm

硅：10⁺⁴～10^-4Ω·cm

经外实验证明：在室温情况下，热电法对于电阻率低于1000Ω·cm的硅单晶整流法结果。

2、锗、硅单晶直径及长度：不受限制

3、显示方式：由显示N和P的液晶器件直接示，同时中心刻度为零位检流计也在示型号，针向左偏转被测样品为N型，针向右偏转被测样品为P型。

5、探针：用ASTM F42标准中建议的不锈钢作冷热探针材料，针尖为60℃锥体，热笔温度自动保持在50?60℃范围内，冷笔与室温相同。整流法行选用硬质合金作探针。

6、电源及耗：AC 220V±10%，50HZ交流供电，zui大耗（热笔加热状态）小于40W，平均耗≈10W。

7、外型尺寸：370×320×110（mm）

8、重量：约 4 kg