HAD-SL-200 安徽防水声光警号_其他专用仪器仪表

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HAD-SL-200 安徽防水声光警号

1.防水声光警号/防拆报警保护/声光警号型号；HAD-SL-200

规格:210L X 130W X 78H mm

额定电压:12-15VDC

作电压:12VDC/24VDC

作电流:300mA

声音:112±3DB

灯罩颜色：红，蓝，橙可以选择

有CE认证

报警主机配套使用或单使用，

外观时尚,可配套何装饰环境，

产品集微处理器，防拆保护，防剪线保护，电池保护

2.频光电导少子寿命测试仪/少子寿命测试仪型号：KDK-LT-1

1、用途

用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，除需要有个测量平面外，对样块体形无严格要求，可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体内重金属杂质污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

2、 设备组成

2.1、光脉冲发生装置

重复频率＞25次/s 脉宽＞60μｓ光脉冲关断时间＜0.2-1μｓ

红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶）脉冲电流：～20A

如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、频源

频率：30MHz 低输出阻抗输出率＞1W

2.3、放大器和检波器

频率响应：2Hz～2MHz

2.4、配用示波器

配用示波器：频带宽度不低于40MHz，Y轴增益及扫描速度均应连续可调。

3、测量范围

KDK-LT-1可测硅单晶的电阻率范围：ρ≥3Ω·㎝（欧姆·厘米）,寿命值的测量范围：5～6000μｓ

3.·数字式硅晶体少子寿命测试仪型号：KDK-LT-100C

为解决太阳能单晶、多晶少子寿命测量，特按照标GB/T1553及SEMI MF-1535用频光电导法研制出了数字式少子寿命测试仪。

该设备是按照标准GB/T1553“硅单晶少数载流子寿命测定的频光电导衰减法”设计制。频光电导衰减法在我半导体集成电路、晶体管、整流器件、核探测器行业已运用了三十多年，积累了丰富的使用经验，经过数次十多个单位巡回测试的考验，证明是种成熟的测试方法，特别适合于硅块、硅棒研磨面的少子体寿命测量；也可对硅片行测量，给出相对寿命值。方法本身对样品表面的要求为研磨面，制样简便。

KDK-LT-100C数字式硅晶体少子寿命测试仪有以下特点：

1、 可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管硅单晶的少子寿命。

2、可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。

3、配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。

4、配置两种波长的红外光源：

a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于测量晶体少数载流子体寿命。

b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能硅晶体。

5、测量范围宽广

测试仪可直接测量：

a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。

b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。

寿命可测范围 0.25μS—10ms

温馨提示：以上发布的产品资料和图片都是按顺序相对应的